6-Kanal-SiC-Gate-Treiber-Platine
GDC-2A6S1
Anwendungen
✓ 6 Schalter isolierter SiC/IGBT/MOSFET Gate-Treiber✓ AC & bürstenlose DC Motorantriebe✓ 3 Phasen PFC-Gleichrichter✓ R&D Inverters
✓ 3 Phasen PFC-Gleichrichter✓ R&D Inverters
Eigenschaften
✓ Geeignet für 1200V SiCs, IGBTs & MOSFETs bis zu 120A✓ 110ns Ausbreitungsverzögerung, 100KV/us CMR✓ Kurzschlussschutz mit Softabschaltung✓ Aktiver Müller- und Ausgangs-UVLO-Schutz✓ 1200 Vdc Arbeitsspannung mit 3 KVac Isolierung✓ Konfigurierbare Totzeit, PWM/Indep. Eingänge✓ Fault feedback and fault latch protection
✓ Kurzschlussschutz mit Softabschaltung✓ Aktiver Müller- und Ausgangs-UVLO-Schutz✓ 1200 Vdc Arbeitsspannung mit 3 KVac Isolierung✓ Konfigurierbare Totzeit, PWM/Indep. Eingänge✓ Fault feedback and fault latch protection
✓ 1200 Vdc Arbeitsspannung mit 3 KVac Isolierung✓ Konfigurierbare Totzeit, PWM/Indep. Eingänge✓ Fault feedback and fault latch protection
✓ Fault feedback and fault latch protection
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Einheit | Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|---|
| Ausgangskanäle | 6 | - | Ausgangsspannung | +20/-5. +18/0, +15/0, +15/-5, +15/-15 | V |
| Ausgangsspitzenstrom | 2 | A | Avg. Ausgangsleistung pro Kanal | 1000 | mW |
| Isolierung zwischen Eingang und Ausgang | 3000 | Vac | Max. Arbeits-Isolationsspannung | 1200 | V |
| Max. Ausbreitungsverzögerung | 110 | ns | Min. Gleichtaktunterdrückung (CMR) | 100 | kV/us |
| Betriebstemperatur | -25 bis +70 | °C | Aktiver Miller-Klemmenstrom | 1.6 | A |
| Eingabe-Modi | Konfigurierbare PWM / Dual | - | Dead-Time | Benutzer Einstellbar | - |
* Anmerkung 1: Alle Nennwerte sind bei Vs=15V und 25°C Umgebungstemperatur angegeben, sofern nicht anders angegeben.
FAQs
Wie wähle ich den Anschnittwiderstand für meine Anwendung?
Die Wahl des richtigen Werts des externen Gate-Widerstands ist entscheidend für die Begrenzung des Rauschens und der Energieverluste beim Schaltvorgang und kann je nach verwendetem Transistor variieren. Das Datenblatt des Transistor-ICs zeigt aufgezeichnete Testwerte für den Betrieb unter optimalen Bedingungen, zu denen auch der Wert des externen Gate-Widerstands (RGATE) gehört, der das Schalten unter Minimierung der Einschalt- (Eon) und Ausschaltverluste (EOFF) ermöglicht.
Wie wählt man die Ausgangsspannung des Gate-Treibers?
Der optimale Wert der Gate-Treiber-Ausgangsspannung hängt vom verwendeten Schalter ab. Normalerweise gibt es für SiC-FETs mehrere empfohlene Spannungen wie +20/-5V, +18/0V und +15/-5V. Weitere Informationen finden Sie in der Tabelle der absoluten Maximalwerte im Datenblatt des Schalters.
Was ist der Unterschied zwischen IGBT- und SiC-Gate-Treibern?
SiC-Gate-Treiber haben im Vergleich zu IGBT-Gate-Treibern eine höhere Gleichtaktunterdrückung und eine geringere Ausbreitungsverzögerung, wodurch sie sich für Anwendungen mit höheren Geschwindigkeiten eignen und gleichzeitig über alle fortschrittlichen Schutzfunktionen verfügen.
Wie kann ich diese Gatetreiberplatinen an meine Schaltung anschließen?
Jeder Ausgangskanal der Gate-Treiberplatine verfügt über einen Steckverbinder, der direkt an den Gate-Source/Emitter-Anschluss mit dem gewählten Gate-Widerstand angeschlossen werden kann, um die erforderliche Gate-Spannung für den Schaltvorgang bereitzustellen.
