Isolierte 4-Schalter-2A-Gate-Treiber-Schaltkreisplatine
GDS-2A4S1
Anwendungen
✓ F&E-Wechselrichter
✓ Aktive PFC-Gleichrichter
✓ Getaktete Stromversorgungen
✓ AC/DC-Motorantriebe
Eigenschaften
✓ Sehr geringe Laufzeitverzögerung von 75ns
✓ Hochfrequenzbetrieb bis zu 700 kHz
✓ 707 Vdc Arbeitsspannung mit 3 KVac Isolierung
✓ 45 kV/us Typische Gleichtaktunterdrückung (CMR)
✓ Widerstand programmierbare Totzeit
✓ Ausgang UVLO-Schutz
✓ High-Low, PWM und unabhängige Eingangsoptionen
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Dieses Produkt ist nicht mehr lieferbar. Die Serie GDS wurde durch die Gatetreiber der Serie GDX ersetzt.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Einheit | Parameter | Wert | Einheit |
---|---|---|---|---|---|
Ausgangskanäle | 4 | - | Ausgangsspannung | 15/0 | V |
Ausgangsspitzenstrom | 2 | A | Avg. Ausgangsleistung pro Kanal | 500 | mW |
Isolierung zwischen Eingang und Ausgang | 3000 | Vac | Max. Arbeits-Isolationsspannung | 707 | V |
Max. Ausbreitungsverzögerung | 75 | ns | Typ. Gleichtaktunterdrückung (CMR) | 45 | kV/us |
Betriebstemperatur | -25 bis +70 | °C | Dead-Time | Widerstand programmierbar | - |
Eingabe-Modi | PWM oder High-Low oder unabhängig** | - |
* Anmerkung 1: Alle Nennwerte sind bei Vs=15V und 25°C Umgebungstemperatur angegeben, sofern nicht anders angegeben.
* *Anmerkung 2: Optionen bei Bestellung erhältlich.
FAQs
Wie wähle ich den Anschnittwiderstand für meine Anwendung?
Die Wahl des richtigen Werts des externen Gate-Widerstands ist entscheidend für die Begrenzung des Rauschens und der Energieverluste beim Schaltvorgang und kann je nach verwendetem Transistor variieren. Das Datenblatt des Transistor-ICs zeigt aufgezeichnete Testwerte für den Betrieb unter optimalen Bedingungen, zu denen auch der Wert des externen Gate-Widerstands (RGATE) gehört, der das Schalten unter Minimierung der Einschalt- (Eon) und Ausschaltverluste (EOFF) ermöglicht.
Wie wählt man die Ausgangsspannung des Gate-Treibers?
Der optimale Wert der Gate-Treiber-Ausgangsspannung hängt vom verwendeten Schalter ab. Normalerweise gibt es für SiC-FETs mehrere empfohlene Spannungen wie +20/-5V, +18/0V und +15/-5V. Weitere Informationen finden Sie in der Tabelle der absoluten Maximalwerte im Datenblatt des Schalters.
Was ist der Unterschied zwischen IGBT- und SiC-Gate-Treibern?
SiC-Gate-Treiber haben im Vergleich zu IGBT-Gate-Treibern eine höhere Gleichtaktunterdrückung und eine geringere Ausbreitungsverzögerung, wodurch sie sich für Anwendungen mit höheren Geschwindigkeiten eignen und gleichzeitig über alle fortschrittlichen Schutzfunktionen verfügen.
Wie kann ich diese Gatetreiberplatinen an meine Schaltung anschließen?
Jeder Ausgangskanal der Gate-Treiberplatine verfügt über einen Steckverbinder, der direkt an den Gate-Source/Emitter-Anschluss mit dem gewählten Gate-Widerstand angeschlossen werden kann, um die erforderliche Gate-Spannung für den Schaltvorgang bereitzustellen.