Tarjeta controladora de compuerta SiC MOSFET/IGBT de alta velocidad de 2 canales
GDX-4A2S1
Aplicaciones
✓ Controlador de puerta SiC/IGBT/MOSFET aislado por 2 interruptores
✓ Rectificadores PFC
✓ Convertidores CC-CC
✓ Switched Mode Power Supplies
✓ Convertidores CC-CC
✓ Switched Mode Power Supplies
Características
Adecuado para SiC de 1200 V, IGBT y MOSFET de hasta 120 A
✓ 30ns de retardo de propagación, 100KV/us CMR
✓ 5MHz Max. Frecuencia Operación
✓ 20ns Min. Ancho de pulso
✓ Tensión de trabajo de 1200 Vcc con aislamiento de 3 KVac.
Tiempo muerto configurable, modos PWM/Alto/Bajo/Dual
Especificaciones
| Parámetro | Valor | Unidad | Parámetro | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|---|
| Canales de salida | 2 | - | Tensión de salida | +20/-5. +18/0, +15/0, +15/-5, +15/-15 | V |
| Corriente de salida máxima | 4 | A | Media Potencia de salida por canal | 500 | mW |
| Aislamiento de entrada a salida | 3000 | Vac | Máx. Tensión de aislamiento de trabajo | 1200 | V |
| Máx. Retardo de propagación | 30 | ns | Mín. Rechazo en modo común (CMR) | 100 | kV/us |
| Temperatura de funcionamiento | -25 a +70 | °C | Frecuencia máxima | 5 | MHz |
| Modos de entrada | PWM configurable / Alto-Bajo / Dual | - | Tiempo muerto | Ajustable por el usuario | - |
* Nota 1: Todos los valores nominales se dan a Vs=15V y 25°C de temperatura ambiente a menos que se especifique lo contrario.
Preguntas frecuentes
¿Cómo elegir la resistencia de la puerta para mi aplicación?
La selección del valor correcto de la resistencia de puerta externa es esencial para limitar el ruido y las pérdidas de energía en la operación de conmutación y su selección puede variar en función del transistor utilizado. La hoja de datos del transistor IC muestra los valores de prueba registrados del funcionamiento en condiciones óptimas, que también incluye el valor de la resistencia de puerta externa (RGATE) que permite la conmutación minimizando las pérdidas de encendido (Eon) y apagado (EOFF).
¿Cómo seleccionar la tensión de salida del controlador de puerta?
El valor óptimo de la tensión de salida del controlador de puerta depende del interruptor que se utilice. Normalmente, los FET de SiC vienen en varios voltajes recomendados, como +20/-5V, +18/0V y +15/-5V. Encontrará más información en la tabla de valores máximos absolutos de la ficha técnica del interruptor.
¿Cuál es la diferencia entre el controlador de puerta IGBT y SiC?
Los controladores de puerta de SiC tienen un mayor rechazo de modo común y un bajo retardo de propagación en comparación con los controladores de puerta de IGBT, lo que los hace adecuados para aplicaciones de mayor velocidad y, al mismo tiempo, disponen de todas las funciones de protección avanzadas.
¿Cómo puedo conectar estas placas de controladores de puerta a mi circuito?
Cada canal de salida de la placa del controlador de puerta tiene un conector macho que puede conectarse directamente al terminal fuente/emisor de puerta con la resistencia de puerta seleccionada para proporcionar la tensión de puerta necesaria para la operación de conmutación.
