Carte de pilotage de porte SiC à 4 canaux
GDC-2A4S1
Applications
Pilote de porte SiC/IGBT/MOSFET isolé à 4 interrupteurs✓ Ponts d'entraînement complets✓ Alimentations à découpage✓ PFC Rectifiers
✓ Alimentations à découpage✓ PFC Rectifiers
Caractéristiques
✓ Convient pour 1200V SiCs, IGBTs & MOSFETs jusqu'à 120A✓ 110ns de temps de propagation, 100KV/us CMR✓ Protection contre les courts-circuits avec arrêt progressif✓ Protection UVLO active du broyeur et de la sortietension de travail de 1200 Vdc avec isolation de 3 KVac✓ Temps mort configurable, entrées PWM/Indep.✓ Fault feedback and fault latch protection
✓ Protection contre les courts-circuits avec arrêt progressif✓ Protection UVLO active du broyeur et de la sortietension de travail de 1200 Vdc avec isolation de 3 KVac✓ Temps mort configurable, entrées PWM/Indep.✓ Fault feedback and fault latch protection
tension de travail de 1200 Vdc avec isolation de 3 KVac✓ Temps mort configurable, entrées PWM/Indep.✓ Fault feedback and fault latch protection
✓ Fault feedback and fault latch protection
Spécifications
| Paramètres | Valeur | Unité | Paramètres | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|---|---|
| Canaux de sortie | 4 | - | Tension de sortie | +20/-5. +18/0, +15/0, +15/-5, +15/-15 | V |
| Courant de sortie de crête | 2 | A | Puissance de sortie moyenne par canal Puissance de sortie par canal | 1000 | mW |
| Isolation entrée-sortie | 3000 | Vac | Tension d'isolement max. Tension d'isolation en service | 1200 | V |
| Max. Délai de propagation | 110 | ns | Min. Rejet en mode commun (CMR) | 100 | kV/us |
| Température de fonctionnement | De -25 à +70 | °C | Courant actif de la pince de Miller | 1.6 | A |
| Modes d'entrée | Configurable PWM / Double | - | Temps mort | Réglable par l'utilisateur | - |
* Note 1 : Toutes les valeurs nominales sont données à Vs=15V et à une température ambiante de 25°C, sauf indication contraire.
FAQ
Comment choisir la résistance de la porte pour mon application ?
La sélection de la bonne valeur de la résistance de grille externe est essentielle pour limiter le bruit et les pertes d'énergie dans l'opération de commutation et sa sélection peut varier en fonction du transistor utilisé. La fiche technique du transistor IC indique les valeurs d'essai enregistrées pour un fonctionnement dans des conditions optimales, y compris la valeur de la résistance de grille externe (RGATE) qui permet la commutation tout en minimisant les pertes à l'allumage (Eon) et à l'extinction (EOFF).
Comment sélectionner la tension de sortie du pilote de grille ?
La valeur optimale de la tension de sortie du pilote de grille dépend du commutateur utilisé. En général, les FET SiC sont disponibles dans plusieurs tensions recommandées telles que +20/-5V, +18/0V et +15/-5V. Vous pouvez trouver plus d'informations dans le tableau des valeurs maximales absolues dans la fiche technique du commutateur.
Quelle est la différence entre un pilote de grille IGBT et SiC ?
Les pilotes de grille SiC ont une réjection de mode commun plus élevée et un faible temps de propagation par rapport aux pilotes de grille IGBT, ce qui les rend appropriés pour les applications à plus grande vitesse tout en ayant toutes les caractéristiques de protection avancées.
Comment puis-je connecter ces cartes de pilotage de porte à mon circuit ?
Chaque canal de sortie de la carte de pilotage de grille possède un connecteur mâle qui peut être directement connecté à la borne source/émetteur de la grille avec la résistance de grille sélectionnée afin de fournir la tension de grille requise pour l'opération de commutation.
